”memory resistor” – variabelt elektriskt motstånd med minne, tänkbar efterträdare till transistorn i elektroniska kretsar. – Det elektriska motståndet i en memristor kan ändras genom att man tillför en svag ström, och memristorn behåller sedan det inställda motståndet till nästa förändring. Memristorer kan göras mycket små, 15 nanometer, vilket gör att de kan komma till användning när transistorerna inte går att krympa mer. Memristorer är inte binära, utan motståndet kan ställas in i lägen mellan ett och noll, vilket innebär att nya principer för kretskonstruktion är tänkbara. – Memristorn förutsågs redan 1971 av forskaren Leon Chua (länk), men det var inte förrän i början av 2008 som forskare på dåvarande Hewlett‑Packard konstruerade de första memristorerna. – Se denna artikel. – Hösten 2014 blev det känt att HP (numera HPE) utvecklar en ny datortyp, ”The Machine”, som skulle ha memristorer, men när The Machine senare visades upp hade den vanliga transistorer.
[fysik] [minnen] [processorer] [ändrad 29 augusti 2021]
ovanlig term för datalagring för arkivering, ofta på långsamma medier som magnetband eller optiska diskar, numera allt oftare även på hårddiskar eller SSD i nätverk. Man flyttar filer som sällan eller aldrig efterfrågas, men som inte får eller bör raderas, till långsamma men billiga medier. Tertiärminne är ibland åtkomligt genom så kallade jukeboxar.
[arkivering] [minnen] [ändrad 19 november 2019]
fasövergångsminne (phase change memory) – en typ av minne som använder skillnaden mellan två av materiens faser för att lagra data. – Ettor och nollor representeras i fasminnen av materia i amorf respektive kristallin form:
- – i amorf form ligger molekylerna huller om buller, men:
- – i kristallin form är de prydligt ordnade.
– Fasminnen är en lovande efterträdare till flashminnen som icke‑flyktiga minnen utan rörliga delar. Man kan nå högre lagringstäthet (fler ettor och nollor per kvadratmillimeter) med fasminnen än med flashminnen. Fasminnen är också snabbare och strömsnålare. De består av uppsättningar med mycket små klumpar av en legering av germanium, antimon och tellurium. Klumparna är bara något tiotal nanometer. Genom att tillföra ström värmer man upp klumparna till nära smältpunkten. Om man sedan bryter strömmen abrupt blir klumpen, när den stelnar igen, kristallin. Om man låter strömmen avta under några nanosekunder blir klumpen amorf, det vill säga att molekylerna ligger oordnat. Tillståndet kvarstår tills proceduren upprepas. Det kristallina tillståndet har lågt elektriskt motstånd, medan det amorfa tillståndet har högt motstånd. Därför kan man avläsa tillståndet genom att mäta motståndet. Fasminnen finns redan som kommersiell produkt. – Fasminnen kallas också för PCM (phase change memory), PCRAM (phase change random access memory) och PRAM. Man talar också om kalkogena (chalcogenide) minnen.
[minnen] [ändrad 4 januari 2020]
ett minne som håller reda på var en processor befinner sig i programkörningen – vilken instruktion som exekveras. Minnet är ett register. Det kallas också för programräknare. – På engelska: instruction pointer, förkortat IP.
[minnen] [programkörning] [ändrad 11 december 2019]
kallstartsattack – ett slags dataintrång som utnyttjar det faktum att datorns arbetsminne är läsbart en kort tid efter att datorn har stängts av. (Se kallstart). – I arbetsminnet finns ofta krypteringsnycklar och lösenord, som naturligtvis är intressanta för brottslingar. Arbetsminnet (RAM‑minnet) är beroende av ström för att fungera, så dess innehåll försvinner när datorn stängs av, men under några minuter efter att strömmen har brutits förblir arbetsminnet ändå läsbart. Om man kyler ner minnet förlängs tiden. Om en brottsling kommer över en dator omedelbart efter att den har stängts av kan hon alltså, förutsatt att hon vet hur man gör, tappa arbetsminnet på information. – Läs mer här.
[attacker] [minnen] [ändrad 4 oktober 2019]
- – Cell – avvecklad processor för datorer och konsumentelektronik, utvecklad av IBM, Sony och Toshiba. Den tillverkades kommersiellt i olika utföranden från 2005, men 2009 meddelade IBM att konstruktionen skulle avvecklas, men ersättas av nya, liknande arkitekturer. (Se intervju i Ars Technica.) Processorn användes i Sonys PlayStation fram till 2013. – Cell var en flerkärnad 64‑bitarsprocessor. Kärnorna byggde på IBM:s Power‑processorer. – Cell var avsedd för flera operativsystem, och anpassad för uppspelning av video och musik. Den kallades ibland för STI Cell processor efter de tre företagen som har utvecklat den. Det fullständiga namnet var Cell broadband engine, förkortat CBE;
- – se cellphone och cellular;
- – se minnescell;
- – ruta i kalkylark – en cell kan innehålla ett tal, text eller en matematisk formel;
- – se cellautomat.
[kalkylark] [minnen] [mobiltelefoner] [nerlagt] [processorer] [ändrad 23 april 2018]
en typ av halvledarminne som bevarar lagrade data när strömtillförseln stängs av. (Det är icke‑flyktigt.) – Flashminne används som alternativ till hårddisk i musikspelare, bärbara datorer, mobiltelefoner, USB-minnen och annan bärbar utrustning som måste vara stryktålig. Eftersom de inte måste ha plats för en roterande skiva, som i en hårddisk, är det också lättare att anpassa flashminnen till designen. – Flashminnen har funnits länge, men de har varit rätt dyra (jämfört med hårddiskar), långsamma och omständliga när man ska ändra och radera data. Men i slutet av 00‑talet började det komma bärbara datorer med flashminne i stället för hårddisk, och för tunna bärbara datorer har det blivit standard. Numera är flashminnen snabbare än hårddiskar, som begränsas av sina rörliga delar. Även för minnesservrar med krav på kort svarstid används flashminne. – För ”flashdisk”, se SSD. – Flashminnen finns i två huvudtyper, NAND flash och NOR flash, med olika egenskaper och användningsområden. – På engelska: flash memory. – Läs mer i Wikipedia.
[minnen] [ändrad 27 juli 2020]
(DDR, ofta i sammansättningen DDR SDRAM) – en teknik som, åtminstone i teorin, får minneskretsar att mata ut data i högre takt än processorns klockfrekvens. Detta sker genom att kretsen matar ut två bit varje gång systemklockan tickar, en bit på klockcykelns vågtopp och en bit på vågdalen. Äldre tekniker matade bara ut en bit per klockcykel. Double data rate lanserades 1998. Sedan dess har tillkommit quad data rate och octal data rate. – Beteckningen DDR har använts för ett antal generationer av minneskretsar, från DDR kom DDR2, därefter DDR3, DDR4, DDR5 och DDR6. – Läs mer i Wikipedia och på standardiseringsorganisationen JEDEC:s webbsidor: länk.
[minnen] [ändrad 5 december 2019]
synkront DRAM, SDRAM. – En allmän beteckning på minneschipp som matar ut data i en takt som är synkroniserad med systemklockan. Man anger därför vanligen hastigheten hos SDRAM i megahertz, inte i nanosekunder som med andra typer av minnen.
[minnen] [ändrad 8 juni 2018]