fasövergångsminne (phase change memory) – en typ av minne som använder skillnaden mellan två av materiens faser för att lagra data. – Ettor och nollor representeras i fasminnen av materia i amorf respektive kristallin form:
- – i amorf form ligger molekylerna huller om buller, men:
- – i kristallin form är de prydligt ordnade.
– Fasminnen är en lovande efterträdare till flashminnen som icke‑flyktiga minnen utan rörliga delar. Man kan nå högre lagringstäthet (fler ettor och nollor per kvadratmillimeter) med fasminnen än med flashminnen. Fasminnen är också snabbare och strömsnålare. De består av uppsättningar med mycket små klumpar av en legering av germanium, antimon och tellurium. Klumparna är bara något tiotal nanometer. Genom att tillföra ström värmer man upp klumparna till nära smältpunkten. Om man sedan bryter strömmen abrupt blir klumpen, när den stelnar igen, kristallin. Om man låter strömmen avta under några nanosekunder blir klumpen amorf, det vill säga att molekylerna ligger oordnat. Tillståndet kvarstår tills proceduren upprepas. Det kristallina tillståndet har lågt elektriskt motstånd, medan det amorfa tillståndet har högt motstånd. Därför kan man avläsa tillståndet genom att mäta motståndet. Fasminnen finns redan som kommersiell produkt. – Fasminnen kallas också för PCM (phase change memory), PCRAM (phase change random access memory) och PRAM. Man talar också om kalkogena (chalcogenide) minnen.
[minnen] [ändrad 4 januari 2020]